IRF7311TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.6 А
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.6 А
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.6 А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7311TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.25 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7311TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.029 ом при 6a, 4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 20 |
| Корпус | so8 |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7311PBF MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC TubeINFSO-8
Сообщите мне о поступлении товара