8 800 1000 321 - контакт центр

IRF7311PBF, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 6.6 А, 2 Вт, 0.029 ...

  • IRF7311PBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Infineon Technologies

Описание

MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC Tube

Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 6.6 А, 2 Вт, 0.029 Ом

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 66291
Цена и наличие товара актуальны на:
25.04.2019 08:30
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 133 шт: 31.732 руб.
от 14 шт: 33.087 руб.
200 шт.7 раб. дн.1 шт.14 шт.
от 513 шт: 32.189 руб.
от 171 шт: 33.035 руб.
684 шт.28 раб. дн.19 шт.171 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
8-SOIC(SO8)
Нормоупаковка
95 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
0.25 г
Тип транзистора
2N-канальный
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Маскимальный ток стока
6.6 А
Сопротивление открытого канала
29 мОм
Пороговое напряжение включения макс.
700 мВ
Максимальная рассеиваемая мощность
2 Вт
Заряд затвора
27 нКл
Входная емкость
900 пФ
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
884 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
IRF7311TRPBF
INFSO823.31020.288000

Подробное описание

Характеристики

Структура2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм29
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Крутизна характеристики, S20
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе0.7

C этим товаром покупают:

Транзисторы
IRFBG30PBF
Цена от
40.54 руб.
Оптоэлектроника
DA56-11GWA
Цена от
79.21 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке