IRF7311PBF, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 6.6 А, 2 Вт, 0.029 Ом
MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC Tube
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 6.6 А, 2 Вт, 0.029 Ом
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 6.6 А, 2 Вт, 0.029 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7311PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка95 шт
-
Вес брутто0.2 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7311PBF
Характеристики
Структура | 2n-канала |
---|---|
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.6 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 29 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
Крутизна характеристики, S | 20 |
Корпус | so8 |
Пороговое напряжение на затворе | 0.7 |
Полные аналоги
-
IRF7311TRPBF MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOICНаличие:3354 штМинимум:штЦена от:92,70 ₽INFSO-8
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара