IRF7341TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC, 2W
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7341TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOIC8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.23 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7341TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 43 мОм
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 ом при 4.7a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 7.9 |
| Корпус | so8 |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7341PBF MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC TubeINFSO-8
-
IRF7341TRPBF MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC, 2WHottechSO-8
Сообщите мне о поступлении товара