IRF7341PBF, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт, 0.05 Ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт, 0.05 Ом
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт, 0.05 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7341PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка95 шт
-
Вес брутто0.16 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7341PBF
Характеристики
| Структура | 2n-канала |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 7.9 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1 |
Полные аналоги
-
IRF7341TRPBF MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC, 2WНаличие:22308 штМинимум:штЦена от:37,41 ₽INFSOIC8
-
IRF7341TRPBF MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC, 2WHottechSO-8
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара