IRF7389TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7389TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOIC8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.15 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7389TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 42 мОм
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 5,3 А, 7,3 А |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2,5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 8.1 ns, 13 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns, 34 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 46 mΩ, 98 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 22 nC @ 10 V, 23 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 650 pF@ 25 V, 710 pF@ -25 V |
| Тип канала | N, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7389PBF MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC TubeINFSO-8
Сообщите мне о поступлении товара