IRF7380TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 80 В, 3.6 А
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 80 В, 3.6 А
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 80 В, 3.6 А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7380TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.12 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7380TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 80 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 61 мОм
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 3,6 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 9 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 41 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 73 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 80 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 15 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 660 pF @ 25 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7380PBF MOSFET N-CH 80V 3.6AINFSO-8
Сообщите мне о поступлении товара