IRF7842TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 40В 18А 2.5Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC

Транзистор полевой N-канальный 40В 18А 2.5Вт

irf7842pbf pdf, 220,3 кБ

Код товара: 203852

Дата обновления: 19.04.2024 00:10

Цена от: 80,73 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IRF7842TRPBF , Транзистор полевой N-канальный 40В 18А 2.5Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

SOIC8
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

4000 шт
Вес брутто

0.14 г.
Напряжение исток-сток макс.

40В
Ток стока макс.

18A
Сопротивление открытого канала

5 мОм
Мощность макс.

2.5Вт
Тип транзистора

N-канал
Особенности

Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.

2.25В
Заряд затвора

50нКл
Входная емкость

4500пФ
Тип монтажа

Surface Mount

Описание IRF7842TRPBF

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5 мОм

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	18 А
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2,5 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	4мм
Высота	1.5мм
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	5мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	14 ns
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	21 ns
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	2.25V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.35V
Максимальное сопротивление сток-исток	5.9 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток	-40 В
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	33 nC @ 4.5 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	4500 пФ при 20 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.15

Полные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
IRF7842PBF MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC Tube

Сообщить о поступлении

INF

SO-8

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← IRF7832TRPBF IRF8010STRLPBF →