IRF9310PBF, Транзистор полевой P-канальный 30В 20А 2.5Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

NRND
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC, 2.5W

Транзистор полевой P-канальный 30В 20А 2.5Вт
Код товара: 203895
Дата обновления: 26.04.2024 00:10
Доставка IRF9310PBF , Транзистор полевой P-канальный 30В 20А 2.5Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    SO-8
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    95 шт
  • Вес брутто
    0.2 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
    20A
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Особенности
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание IRF9310PBF

Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство транзисторов -30В в корпусе SO-8 для элементных коммутаторов аккумуляторных батарей и переключателей нагрузки, использующихся в DC приложениях.

Новые Р-канальные транзисторы имеют сопротивление канала в открытом состоянии от 4.6 мОм до 59 мОм для использования в широком круге систем с различным уровнем питания. Среди всех транзисторов в новом семействе минимальное сопротивление открытого канала имеет транзистор IRF9310PBF - оно составляет всего 4.6 мОм при максимальном токе 21А. Применение Р-канальных транзисторов устраняет необходимость в использовании схем сдвига уровня или накачки заряда, благодаря чему они получили широкое распространение в системах управления нагрузкой.

В сравнении с предыдущим поколением Р-канальных SO-8 транзисторов новое семейство приборов позволяет пропускать более высокие токи, благодаря чему семейство имеет широкий модельный ряд транзисторов с различными уровнями сопротивления канала, позволяющий оптимально выбрать прибор по критерию теплоотдача - стоимость.

Характеристики

Структураp-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм4.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Крутизна характеристики, S39
Корпусso8
Особенностибыстродействующий ключ
Пороговое напряжение на затворе-1.3…-2.4

Полные аналоги
Хотите получить образцы?
Заказать образец