8 800 1000 321 - контакт центр

IRF9321PBF, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 15 А, 2.5 Вт

Obsolete
  • IRF9321PBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Infineon Technologies

Описание

MOSFET P-CH 30V 15A SO-8

Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 15 А, 2.5 Вт

Документация

DataSheet
Код товара: 203897
Цена и наличие товара актуальны на:
25.04.2019 08:30
Цена за 1шт: 54.70 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 285 шт: 38.770 руб.
от 95 шт: 40.950 руб.
от 56 шт: 44.110 руб.
от 28 шт: 49.390 руб.
от 1 шт: 54.700 руб.
65 штНа складе1 шт.6 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
8-SOIC(SO8)
Нормоупаковка
95 шт.
Тип упаковки
Bulk (россыпь)
Вес нетто
0.25 г
Напряжение исток-сток макс.
30V
Ток стока макс.
15A
Сопротивление открытого канала
7.2 mOhm
Мощность макс.
2.5W
Тип транзистора
P-Channel
Особенности
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.
2.4V
Заряд затвора
98nC
Входная емкость
2590pF
Тип монтажа
Surface Mount

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
23 шт.
Интернет-магазин
65 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
IRF9321TRPBF
INFSO818.72017.4325302

Подробное описание

Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство транзисторов -30В в корпусе SO-8 для элементных коммутаторов аккумуляторных батарей и переключателей нагрузки, использующихся в DC приложениях.

Новые Р-канальные транзисторы имеют сопротивление канала в открытом состоянии от 4.6 мОм до 59 мОм для использования в широком круге систем с различным уровнем питания. Среди всех транзисторов в новом семействе минимальное сопротивление открытого канала имеет транзистор IRF9310PBF - оно составляет всего 4.6 мОм при максимальном токе 21А. Применение Р-канальных транзисторов устраняет необходимость в использовании схем сдвига уровня или накачки заряда, благодаря чему они получили широкое распространение в системах управления нагрузкой.

В сравнении с предыдущим поколением Р-канальных SO-8 транзисторов новое семейство приборов позволяет пропускать более высокие токи, благодаря чему семейство имеет широкий модельный ряд транзисторов с различными уровнями сопротивления канала, позволяющий оптимально выбрать прибор по критерию теплоотдача - стоимость.

Характеристики

Структураp-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм11.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Крутизна характеристики, S30
Корпусso8
Особенностибыстродействующий ключ
Пороговое напряжение на затворе-2.4

Поделиться:
сообщение об ошибке