8 800 1000 321 - контакт центр

IRF9321PBF, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 15 А, 2.5 Вт

  • IRF9321PBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
International Rectifier

Описание

MOSFET P-CH 30V 15A SO-8

Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 15 А, 2.5 Вт

Документация

DataSheet
Код товара: 203897
Дата обновления: 12.12.2018 09:27
Цена за 1шт: 37.11 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 380 шт: 25.500 руб.
от 190 шт: 27.080 руб.
от 95 шт: 29.400 руб.
от 36 шт: 33.250 руб.
от 1 шт: 37.110 руб.
134 штНа складе1 шт.6 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
SOIC-8
Нормоупаковка
95 шт.
Тип упаковки
Bulk (россыпь)
Вес нетто
0.25 г
Сопротивление открытого канала

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
25 шт.
Интернет-магазин
134 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
IRF9321TRPBF
INFSO819.22017.6543107

Подробное описание

Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство транзисторов -30В в корпусе SO-8 для элементных коммутаторов аккумуляторных батарей и переключателей нагрузки, использующихся в DC приложениях.

Новые Р-канальные транзисторы имеют сопротивление канала в открытом состоянии от 4.6 мОм до 59 мОм для использования в широком круге систем с различным уровнем питания. Среди всех транзисторов в новом семействе минимальное сопротивление открытого канала имеет транзистор IRF9310PBF - оно составляет всего 4.6 мОм при максимальном токе 21А. Применение Р-канальных транзисторов устраняет необходимость в использовании схем сдвига уровня или накачки заряда, благодаря чему они получили широкое распространение в системах управления нагрузкой.

В сравнении с предыдущим поколением Р-канальных SO-8 транзисторов новое семейство приборов позволяет пропускать более высокие токи, благодаря чему семейство имеет широкий модельный ряд транзисторов с различными уровнями сопротивления канала, позволяющий оптимально выбрать прибор по критерию теплоотдача - стоимость.

Характеристики

Структураp-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм11.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Крутизна характеристики, S30
Корпусso8
Особенностибыстродействующий ключ
Пороговое напряжение на затворе-2.4

Поделиться:
сообщение об ошибке