IRFB23N15DPBF, Транзистор полевой N-канальный 150В 23А 136Вт
MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Транзистор полевой N-канальный 150В 23А 136Вт
Транзистор полевой N-канальный 150В 23А 136Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRFB23N15DPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220AB
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.7 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFB23N15DPBF
• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Fully characterized avalanche voltage and current
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 23 А |
Тип корпуса | TO-220AB |
Максимальное рассеяние мощности | 136 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Ширина | 4.69мм |
Высота | 19.3мм |
Размеры | 10.54 x 4.69 x 19.3мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 10.54мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 10 нс |
Производитель | Infineon |
Типичное время задержки выключения | 18 нс |
Серия | HEXFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 90 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 150 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 37 nC @ 10 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 1200 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
Вес, г | 2.5 |
Сообщите мне о поступлении товара