Одиночные MOSFET транзисторы

38
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (38)
Акция
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.6А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
3.9нКл
Входная емкость:
88пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 269 шт

Внешние склады:
28 332 шт
Цена от:
от 11,64
Акция
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 0.9А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
6.8нКл
Входная емкость:
88пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 290 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 11,42
Акция
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.9A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 490 шт

Внешние склады:
4 300 шт
Цена от:
от 26,40
Акция
IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23А 136Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
390 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 69,55
IRFB23N20DPBF IRFB23N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 170Вт, 0.1 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
62 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 330,83
IRFB31N20DPBF IRFB31N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
2370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
118 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 168,84
Акция
IRFB33N15DPBF IRFB33N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 3.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
2020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 120,29
IRFB42N20DPBF IRFB42N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 44А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3430пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
134 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 192,63
IRFR13N15DTRPBF IRFR13N15DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
86Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
206 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 228,96
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
235 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 950 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 59,09
IXFH26N50P IXFH26N50P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 26А 400Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247AD (IXFH)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
400Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
70 шт

Внешние склады:
2 400 шт
Цена от:
от 520,31
Акция
SPP20N60S5XKSA1 SPP20N60S5XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
103нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
85 шт

Внешние склады:
80 шт
Цена от:
от 462,31
SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
103нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
111 шт

Внешние склады:
73 шт
Цена от:
от 439,38
FDP3651U FDP3651U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
5522пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
8 шт
Цена от:
от 709,85
IRF7452TRPBF IRF7452TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A, 2.5Вт 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
38 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 672,18
IRFB59N10DPBF IRFB59N10DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 212,90
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 43,19
Акция
SPP03N60S5 SPP03N60S5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
420пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
32 шт

Внешние склады:
13 000 шт
Цена от:
от 46,60
Акция
IRF7450PBF IRF7450PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7450TRPBF IRF7450TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"