IRFD123PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRFD123PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
100 шт
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
85,55 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 19+ 37+ 73+ 200+111,45 ₽ 102,59 ₽ 95,56 ₽ 89,83 ₽ 85,55 ₽Срок:В наличииНаличие:300Минимум:3Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 19+ 37+ 73+ 200+111,45 ₽ 102,59 ₽ 95,56 ₽ 89,83 ₽ 85,55 ₽Срок:В наличииНаличие:28Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRFD123PBF
Корпус DIP4, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 270 мОм
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 ом при 0.78a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Крутизна характеристики, S | 1 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 0.6 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IRFD123PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 335 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара