Одиночные MOSFET транзисторы

₃₁

Заряд затвора: 16нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (31)

AO3407A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1А 0.9Вт

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

48 мОм

Мощность макс.:

1.4Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 151 шт

Внешние склады:

4 432 шт

Аналоги:

2 681 шт

Цена от:

от 6,97₽

AO4411 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8А 2Вт

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

43 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 13,41₽

-6% Акция

FDS6690A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

12.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

1205пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 446 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 25,17₽

IRF520PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2А 60Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 561 шт

Внешние склады:

990 шт

Цена от:

от 37,14₽

Акция

IRFD120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3А 1.3Вт, 0.25 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

HVMDIP-4

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

61 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 38,19₽

IRFD123PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

328 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 83,38₽

-6% Акция

IRLMS6802TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.6А 2Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TSOP-6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.6A

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

1079пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

4 563 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 26,68₽

TK6A60D (STA4,Q,M) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А, 40Вт

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

TO-220SIS (SC-67)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.25 Ом

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

588 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 40,23₽

-6% Акция

SPP03N60S5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

420пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

24 шт

Внешние склады:

13 000 шт

Цена от:

от 42,85₽

FDC637AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

1125пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC642P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

925пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC642P-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86104 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

923пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4410A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

1205пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

231 шт

Цена от:

от 31,93₽

FQD13N10TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF76609D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

49Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

425пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFI520GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.2A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"