IRFI620GPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 4.1A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
Транзистор полевой N-канальный 200В 4.1A
Транзистор полевой N-канальный 200В 4.1A
Производитель:
Vishay
Артикул:
IRFI620GPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFI620GPBF
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | Vishay |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 А |
| Тип корпуса | TO-220FP |
| Maximum Power Dissipation | 30 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1 Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16 нКл при 10 В |
| Transistor Material | Кремний |
| Channel Mode | Поднятие |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -10 В, +10 В |
| Вес, г | 2 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара