IRFI9530GPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 7.7A
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
143,25 руб.
-
1+ 12+ 23+ 50+ 100+182,27 ₽ 168,92 ₽ 158,32 ₽ 149,68 ₽ 143,25 ₽Срок:В наличииНаличие:24Минимум:2Количество в заказ
-
8+ 32+ 64+ 200+171,80 ₽ 163,62 ₽ 160,89 ₽ 151,35 ₽Срок:7 днейНаличие:200Минимум:Мин: 8Количество в заказ
-
8+173,00 ₽Срок:7 днейНаличие:10Минимум:Мин: 8Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRFI9530GPBF
The IRFI9530GPBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. The isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard product. The FULLPAK is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing.
• Isolated package
• 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz) High voltage isolation
• 4.8mm Sink to lead creepage distance
• -55 to 175°C Operating temperature range
• Dynamic dV/dt rating
• Low thermal resistance
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -7.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 ом при-4.6a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
| Крутизна характеристики, S | 3.4 |
| Корпус | to220fp |
| Вес, г | 2 |
