Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
IRF630NPBF IRF630NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт, 0.3 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
82Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
8 084 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 27,18
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
82Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
307 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 75,78
2SK2615(TE12L,F) 2SK2615(TE12L,F) Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2 А
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AO7800 AO7800 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
0.9А
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY302NZ FDY302NZ Транзистор полевой N-канальный 20В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF630NSPBF IRF630NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
82Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 307 шт
Цена от:
от 75,78
Акция
IRF9530PBF IRF9530PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12А 88Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12А 88Вт, 0.3 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFI9530GPBF IRFI9530GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP350LCPBF IRFP350LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 16 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
76нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP350PBF IRFP350PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 16А 190Вт, 0.3 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDS332P NDS332P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS352AP NDS352AP Транзистор полевой P-канальный 30В 900мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
3нКл
Входная емкость:
135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDT2955 NDT2955 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.5А 3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
601пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SFP9530 SFP9530 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 10.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
66Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1035пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.66633 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"