IRFP1405PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 95А 310Вт

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Field-effect transistor, N-channel, 55V 95A 310W

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 95А 310Вт
Код товара: 204124
Дата обновления: 15.07.2024 16:10
Цена от: 145,94 руб.
Доставка IRFP1405PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 95А 310Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 1427
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2620
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 6 раб. дней
от 2142
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    TO-247AC
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    25 шт
  • Вес брутто
    7.44 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
    95A
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание IRFP1405PBF

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Maximum Operating Temperature+175 °C
Maximum Continuous Drain Current160 A
Package TypeTO-247
Maximum Power Dissipation310 W
Mounting TypeThrough Hole
Width19.71mm
Forward Transconductance77s
Height5.31mm
Dimensions15.29 x 19.71 x 5.31mm
Transistor MaterialSi
Number of Elements per Chip1
Length15.29mm
Transistor ConfigurationSingle
Typical Turn-On Delay Time12 ns
BrandInfineon
Typical Turn-Off Delay Time140 ns
SeriesHEXFET
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Drain Source Resistance5.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage55 V
Pin Count3
CategoryPower MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs120 nC @ 10 V
Channel ModeEnhancement
Typical Input Capacitance @ Vds5600 pF @ 25 V
Channel TypeN
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage1.3V
Вес, г7.5