IRFP1405PBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 95А 310Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Field-effect transistor, N-channel, 55V 95A 310W
Транзистор полевой N-канальный 55В 95А 310Вт
Транзистор полевой N-канальный 55В 95А 310Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRFP1405PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-247
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка25 шт
-
Вес брутто7.44 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFP1405PBF
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Continuous Drain Current | 160 A |
| Package Type | TO-247 |
| Maximum Power Dissipation | 310 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Width | 19.71mm |
| Forward Transconductance | 77s |
| Height | 5.31mm |
| Dimensions | 15.29 x 19.71 x 5.31mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 15.29mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Brand | Infineon |
| Typical Turn-Off Delay Time | 140 ns |
| Series | HEXFET |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Pin Count | 3 |
| Category | Power MOSFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 5600 pF @ 25 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вес, г | 7.5 |
Сообщите мне о поступлении товара