Одиночные MOSFET транзисторы

20
Мощность макс.: 310Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (20)
FDP2532 FDP2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8A(Ta),79A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
16 мОм @ 33А, 10В
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
107нКл @ 10В
Входная емкость:
5870пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
65 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 182,86
IRFP1405PBF IRFP1405PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 95А 310Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
95A
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
5600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
689 шт

Внешние склады:
41 481 шт
Цена от:
от 113,80
Акция
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90А 310Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
7500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
359 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 393,86
Акция
IRFP4229PBF IRFP4229PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 44А 310Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4560пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
132 шт

Внешние склады:
372 шт
Цена от:
от 145,41
Акция
IRFP4321PBF IRFP4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 78А 310Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
78A
Сопротивление открытого канала:
15.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
596 шт

Внешние склады:
5 880 шт
Цена от:
от 164,04
Акция
STB140NF75T4 STB140NF75T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 0.0065 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
218нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
200 шт

Внешние склады:
6 807 шт
Цена от:
от 171,58
STP140NF75 STP140NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
218нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 123,86
Акция
STP200NF04 STP200NF04 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
5100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
753 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 30,56
FDB045AN08A0 FDB045AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
138нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 469,25
FDB3632 FDB3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
6000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 423,25
FDP3632 FDP3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-220AB
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A(Ta),80A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9 мОм @ 80А, 10В
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
6000пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
174 шт
Цена от:
от 258,78
FQA24N60 FQA24N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 23.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
23.5A
Сопротивление открытого канала:
240 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
145нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 404,85
HUF75645P3 HUF75645P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
238нКл
Входная емкость:
3790пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
541 шт
Цена от:
от 174,49
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
124нКл
Входная емкость:
6400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB2532 FDB2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
5870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDH047AN08A0 FDH047AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
138нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
138нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA55N25 FQA55N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 55A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
6250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA65N20 FQA65N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
7900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75645S3ST HUF75645S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
238нКл
Входная емкость:
3790пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43524 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"