IRFR3410TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 31A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Транзистор полевой N-канальный 100В 31A
Транзистор полевой N-канальный 100В 31A
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRFR3410TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2000 шт
-
Вес брутто0.38 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFR3410TRPBF
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 39 мОм
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 31 A |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Максимальное рассеяние мощности | 110 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 6.22мм |
| Высота | 2.39мм |
| Размеры | 6.73 x 6.22 x 2.39мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.73мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 12 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 40 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 39 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1690 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.4 |
Полные аналоги
-
IRFR3410PBF MOSFET N-CH 100V 31A DPAKINFDPAK/TO-252AA
Сообщите мне о поступлении товара