Одиночные MOSFET транзисторы

47
Мощность макс.: 3Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (47)
AO4404 AO4404 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5A 3Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.5A
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
59 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 24,87
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 658 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 25,30
SUD25N15-52-E3 SUD25N15-52-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 25A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1725пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
223 шт

Внешние склады:
73 шт
Цена от:
от 123,96
-6% Акция
AOD4126 AOD4126 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43А 50Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
14 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 65,57
Акция
IRF9640SPBF IRF9640SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
289 шт
Аналоги:
964 шт
Цена от:
от 120,46
IRF9640STRLPBF IRF9640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
964 шт
Аналоги:
289 шт
Цена от:
от 98,17
STQ1NK60ZR-AP STQ1NK60ZR-AP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
15 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
6.9нКл
Входная емкость:
94пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
60 шт
Цена от:
от 76,36
2SK3747-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF-3
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
13 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
37.5нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Through Hole
2SK3748-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF-3
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD16327Q3T CSD16327Q3T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 21A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON-EP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16340Q3 CSD16340Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
9.2нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16404Q5A CSD16404Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 81A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
5.1 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
1220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17302Q5A CSD17302Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.7В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17307Q5A CSD17307Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 73A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
5.2нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17552Q5A CSD17552Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4243 FDD4243 Транзистор полевой MOSFET Р-канальный 40В 6.7А 44 мОм, 42Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 083 шт
Цена от:
от 13,16
FDD4685 FDD4685 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32А 27 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4685_F085 FDD4685_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7660DC FDMC7660DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
2.2 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
76нКл
Входная емкость:
5170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
2.9 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
4100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"