IRFR3910TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A 52Вт
Цена от:
23,76 руб.
-
1+ 75+ 149+ 298+ 596+44,04 ₽ 39,96 ₽ 37,02 ₽ 34,62 ₽ 32,58 ₽Срок:В наличииНаличие:3 435Минимум:7Количество в заказ
-
1+ 75+ 149+ 298+ 596+44,04 ₽ 39,96 ₽ 37,02 ₽ 34,62 ₽ 32,58 ₽Срок:В наличииНаличие:20Минимум:7Количество в заказ
-
1+ 75+ 149+ 298+ 596+44,04 ₽ 39,96 ₽ 37,02 ₽ 34,62 ₽ 32,58 ₽Срок:В наличииНаличие:104Минимум:2Количество в заказ
-
21+ 97+ 194+ 800+58,56 ₽ 55,80 ₽ 54,84 ₽ 51,60 ₽Срок:7 днейНаличие:800Минимум:Мин: 21Количество в заказ
-
299+ 441+ 884+28,26 ₽ 24,36 ₽ 23,76 ₽Срок:25 днейНаличие:3 823Минимум:Мин: 299Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRFR3910TRPBF
The IRFR3910TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.115 ом при 10a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Крутизна характеристики, S | 6.4 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |