IRFR3910TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A 52Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRFR3910TRPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2000 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
24,23 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 64+ 127+ 253+ 505+53,84 ₽ 49,07 ₽ 45,54 ₽ 42,74 ₽ 40,30 ₽Срок:В наличииНаличие:3 080Минимум:6Количество в заказ
-
1+ 64+ 127+ 253+ 505+53,84 ₽ 49,07 ₽ 45,54 ₽ 42,74 ₽ 40,30 ₽Срок:В наличииНаличие:20Минимум:6Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 64+ 127+ 253+ 505+53,84 ₽ 49,07 ₽ 45,54 ₽ 42,74 ₽ 40,30 ₽Срок:В наличииНаличие:102Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
19+ 88+ 175+ 800+66,17 ₽ 63,02 ₽ 61,97 ₽ 58,30 ₽Срок:7 днейНаличие:800Минимум:Мин: 19Количество в заказ
-
304+ 441+ 882+28,82 ₽ 24,86 ₽ 24,23 ₽Срок:25 днейНаличие:4 000Минимум:Мин: 304Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRFR3910TRPBF
The IRFR3910TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.115 ом при 10a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Крутизна характеристики, S | 6.4 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
0 шт
Под заказ:
3 000 шт
Цена от:
от 56,86₽
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRFR3910TRPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A 52Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара