Одиночные MOSFET транзисторы

29
Заряд затвора: 44нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (29)
AOD482 AOD482 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32А 50Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
353 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 53,94
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
3430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 771 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 54,78
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 902 шт

Внешние склады:
10 350 шт
Цена от:
от 62,64
Акция
IRFI530NPBF IRFI530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 33Вт, 0.11 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
164 шт

Внешние склады:
1 396 шт
Цена от:
от 89,40
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
14.5 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 906 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 52,44
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A 52Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 240 шт

Внешние склады:
8 580 шт
Аналоги:
3 000 шт
Цена от:
от 31,74
IRFU3910PBF IRFU3910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
11 940 шт
Цена от:
от 30,66
Акция
AUIRFR2905Z AUIRFR2905Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
14.5 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
284 шт
Цена от:
от 142,68
FDMS3672 FDMS3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
2680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7672 FDMS7672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
2960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7676 FDMS7676 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
2960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86101DC FDMS86101DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14.5A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
3135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75321P3 HUF75321P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3711SPBF IRF3711SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 110A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
2980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7470PBF IRF7470PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
3430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
12 771 шт
Цена от:
от 54,78
Акция
IRF7820PBF IRF7820PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 852 шт
Цена от:
от 62,64
IRF9640PBF IRF9640PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF9640SPBF IRF9640SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9640STRLPBF IRF9640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"