IRFS52N15DPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 51 А
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 51 А
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 51 А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRFS52N15DPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусD2PAK/TO263
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт.
-
Вес брутто1.2 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFS52N15DPBF
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 51 А, Сопротивление открытого канала (мин) 32 мОм
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.032 ом при 36a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 320 |
| Крутизна характеристики, S | 19 |
| Корпус | d2pak |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара