IRFZ44ZPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 51А 80Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
Транзистор полевой N-канальный 55В 51А 80Вт
Транзистор полевой N-канальный 55В 51А 80Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRFZ44ZPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220AB
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.8 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFZ44ZPBF
The IRFZ44ZPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.
• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• 175°C Operating temperature
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0139 ом при 31a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Крутизна характеристики, S | 15 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |
Сообщите мне о поступлении товара