Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (28)
Акция
2SK2766 2SK2766 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7А 80Вт
Производитель:
Fujitsu Microelectronics
Корпус:
TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
7A
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
66 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 85,74
Акция
IRF200B211 IRF200B211 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 12А 80Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
12А
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
454 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,48
IRFB4019PBF IRFB4019PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 17А 80Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
466 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 81,00
IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51А 80Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1420пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
234 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 60,96
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1420пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
780 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 108,72
IRLZ44ZPBF IRLZ44ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
211 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 92,76
Акция
IRLZ44ZSTRLPBF IRLZ44ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51А 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм @ 31А, 10В
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
36нКл @ 5В
Входная емкость:
1620пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
389 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 71,10
STD4NK80ZT4 STD4NK80ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 80Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.5нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 940 шт

Внешние склады:
6 715 шт
Цена от:
от 36,36
Акция
STP45NF06 STP45NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
503 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,06
Акция
STP4NK80Z STP4NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 3 Ом, 80Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.5нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
327 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 122,34
WMB080N10HG2 WMB080N10HG2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A 80Вт
Производитель:
Wayon
Корпус:
PDFN5*6
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
74А
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
585 шт

Внешние склады:
20 280 шт
Цена от:
от 25,08
Акция
FQB27N25 FQB27N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25А 180Вт
Производитель:
Noname
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
25А
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
18 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 73,14
2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-2
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
13 Ом
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
37.5нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFZ44Z AUIRFZ44Z Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 N-канальный 55В 51А [TO-220AB]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм @ 31А, 10В
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
43нКл @ 10В
Входная емкость:
1420пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFZ44ZS AUIRFZ44ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1420пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRLZ44Z AUIRLZ44Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм @ 31А, 10В
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
36нКл @ 5В
Входная емкость:
1620пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
BUK6217-55C,118 BUK6217-55C,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
33.8нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB8896 FDB8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 93A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
2525пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8896 FDD8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 85А 80Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2525пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP8896 FDP8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 92A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
2525пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"