IRLR2905TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Цена от:
32,07 руб.
-
1+ 154+ 307+ 614+ 1228+42,05 ₽ 38,57 ₽ 35,87 ₽ 34,06 ₽ 32,47 ₽Срок:В наличииНаличие:8 676Минимум:8Количество в заказ
-
1+ 154+ 307+ 614+ 1228+42,05 ₽ 38,57 ₽ 35,87 ₽ 34,06 ₽ 32,47 ₽Срок:В наличииНаличие:200Минимум:8Количество в заказ
-
1+ 154+ 307+ 614+ 1228+42,05 ₽ 38,57 ₽ 35,87 ₽ 34,06 ₽ 32,47 ₽Срок:В наличииНаличие:36Минимум:2Количество в заказ
-
11+ 47+ 94+ 300+123,44 ₽ 117,56 ₽ 115,60 ₽ 108,75 ₽Срок:7 днейНаличие:300Минимум:Мин: 11Количество в заказ
-
12+ 47+ 94+ 188+123,96 ₽ 118,06 ₽ 116,09 ₽ 109,21 ₽Срок:7 днейНаличие:200Минимум:Мин: 12Количество в заказ
-
29+ 140+ 281+ 1700+41,27 ₽ 39,31 ₽ 38,65 ₽ 36,36 ₽Срок:7 днейНаличие:1 700Минимум:Мин: 29Количество в заказ
-
224+ 326+ 649+ 3246+39,16 ₽ 33,78 ₽ 32,92 ₽ 32,07 ₽Срок:25 днейНаличие:3 268Минимум:Мин: 224Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRLR2905TRPBF
The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.027 ом при 25a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Крутизна характеристики, S | 21 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |