IRLR2905TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Цена от:
33,95 руб.
-
1+ 141+ 282+ 563+ 1126+43,88 ₽ 40,28 ₽ 37,48 ₽ 35,60 ₽ 33,95 ₽Срок:В наличииНаличие:3 194Минимум:7Количество в заказ
-
1+ 141+ 282+ 563+ 1126+43,88 ₽ 40,28 ₽ 37,48 ₽ 35,60 ₽ 33,95 ₽Срок:В наличииНаличие:12Минимум:2Количество в заказ
-
10+ 44+ 89+ 500+123,44 ₽ 117,56 ₽ 115,61 ₽ 108,75 ₽Срок:7 днейНаличие:500Минимум:Мин: 10Количество в заказ
-
28+ 133+ 266+ 1700+41,27 ₽ 39,30 ₽ 38,65 ₽ 36,36 ₽Срок:7 днейНаличие:1 700Минимум:Мин: 28Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRLR2905TRPBF
The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.027 ом при 25a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Крутизна характеристики, S | 21 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |