IRLR2905TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Цена от:
26,75 руб.
-
1+ 154+ 307+ 614+ 1228+41,51 ₽ 38,08 ₽ 35,41 ₽ 33,62 ₽ 32,05 ₽Срок:В наличииНаличие:8 610Минимум:8Количество в заказ
-
1+ 154+ 307+ 614+ 1228+41,51 ₽ 38,08 ₽ 35,41 ₽ 33,62 ₽ 32,05 ₽Срок:В наличииНаличие:28Минимум:2Количество в заказ
-
11+ 46+ 92+ 200+123,44 ₽ 117,56 ₽ 115,60 ₽ 108,75 ₽Срок:7 днейНаличие:200Минимум:Мин: 11Количество в заказ
-
29+ 137+ 275+ 1700+41,27 ₽ 39,31 ₽ 38,65 ₽ 36,36 ₽Срок:7 днейНаличие:1 700Минимум:Мин: 29Количество в заказ
-
12+ 47+ 93+ 185+123,05 ₽ 117,20 ₽ 115,24 ₽ 108,41 ₽Срок:7 днейНаличие:200Минимум:Мин: 12Количество в заказ
-
263+ 381+ 764+ 3809+32,66 ₽ 28,17 ₽ 27,46 ₽ 26,75 ₽Срок:25 днейНаличие:4 000Минимум:Мин: 263Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRLR2905TRPBF
The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.027 ом при 25a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Крутизна характеристики, S | 21 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |