IRLR2905TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 42A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Транзистор полевой N-канальный 55В 42A
Транзистор полевой N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRLR2905TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2000 шт
-
Вес брутто0.65 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRLR2905TRPBF
The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.027 ом при 25a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Крутизна характеристики, S | 21 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |
Полные аналоги
-
IRLR2905TRLPBF MOSFET N-CH 55V 42A DPAKINFDPAK/TO-252AA
-
IRLR2905PBF MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, 69WINFDPAK/TO-252AA
Сообщите мне о поступлении товара