IRLR2905TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Цена от:
40,07 руб.
-
1+ 120+ 240+ 480+ 960+51,66 ₽ 47,58 ₽ 44,40 ₽ 42,27 ₽ 40,40 ₽Срок:В наличииНаличие:6 574Минимум:6Количество в заказ
-
1+ 120+ 240+ 480+ 960+51,66 ₽ 47,58 ₽ 44,40 ₽ 42,27 ₽ 40,40 ₽Срок:В наличииНаличие:12Минимум:1Количество в заказ
-
27+ 126+ 252+ 1475+45,48 ₽ 43,32 ₽ 42,60 ₽ 40,07 ₽Срок:7 днейНаличие:1 475Минимум:Мин: 27Количество в заказ
-
11+ 46+ 93+ 700+123,44 ₽ 117,56 ₽ 115,60 ₽ 108,75 ₽Срок:14 днейНаличие:700Минимум:Мин: 11Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRLR2905TRPBF
The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.027 ом при 25a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Крутизна характеристики, S | 21 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |