IRLR2905TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Цена от:
30,54 руб.
-
1+ 177+ 354+ 708+ 1415+39,66 ₽ 36,36 ₽ 33,78 ₽ 32,10 ₽ 30,54 ₽Срок:В наличииНаличие:11 579Минимум:8Количество в заказ
-
1+ 177+ 354+ 708+ 1415+39,66 ₽ 36,36 ₽ 33,78 ₽ 32,10 ₽ 30,54 ₽Срок:В наличииНаличие:200Минимум:8Количество в заказ
-
1+ 177+ 354+ 708+ 1415+39,66 ₽ 36,36 ₽ 33,78 ₽ 32,10 ₽ 30,54 ₽Срок:В наличииНаличие:39Минимум:2Количество в заказ
-
12+ 52+ 104+ 300+109,14 ₽ 103,92 ₽ 102,18 ₽ 96,12 ₽Срок:7 днейНаличие:300Минимум:Мин: 12Количество в заказ
-
13+ 53+ 105+108,78 ₽ 103,62 ₽ 101,88 ₽Срок:7 днейНаличие:200Минимум:Мин: 13Количество в заказ
-
30+ 140+ 280+ 1900+40,50 ₽ 38,58 ₽ 37,92 ₽ 35,64 ₽Срок:7 днейНаличие:1 900Минимум:Мин: 30Количество в заказ
-
215+ 319+ 636+ 3171+39,24 ₽ 33,84 ₽ 33,00 ₽ 32,10 ₽Срок:25 днейНаличие:6 976Минимум:Мин: 215Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRLR2905TRPBF
The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.027 ом при 25a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Крутизна характеристики, S | 21 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |