IRLR2905TRPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А
Код товара: 204690
Дата обновления: 21.06.2021 10:10
Цена от: 28,44 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка IRLR2905TRPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    DPAK/TO252
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    2000 шт.
  • Вес брутто
    0.63 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
    55V
  • Ток стока макс.
    42A
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Особенности

Описание IRLR2905TRPBF

Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А

The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications. • Logic level gate drive• Advanced process technology• Fully avalanche rating• Low static drain-to-source ON-resistance• Dynamic dV/dt rating

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.027 ом при 25a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110
Крутизна характеристики, S21
Корпусdpak
Вес, г0.4

Аналоги