MMBF170, Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА
Технические параметры
-
КорпусSOT-23
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.05 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание MMBF170
The MMBF170 from Fairchild is a surface mount, N channel enhancement mode field effect transistors in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been especially tailored to minimize the onstate resistance and provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
• High density cell design for low Rds(ON)
• Voltage controlled small signal switch
• Rugged and reliable
• High saturation current capability
• Drain to source voltage (Vds) of 60V
• Gate to source voltage of ±20V
• Continuous drain current (Id) of 500mA
• Power dissipation (Pd) of 300mW
• Low on state resistance of 1.2ohm at Vgs 10V
• Operating temperature range -55°C to 150°C
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 ом при 0.2a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.83 |
| Корпус | sot23 |
| Вес, г | 0.05 |
-
MMBF170-7-F MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3DIODESSOT23-3
-
MMBF170LT1G N-CH MOS-FET 0,5A 60VONSSOT-23
-
MMBF170 N-CH MOS-FET 0,5A 60VНаличие:8276 штМинимум:штЦена от:2,44 ₽SHIKUESSOT-23
