MMBF170LT1G, Транзистор полевой N-канальный 60В 0.5A, 0.225Вт
N-CH MOS-FET 0,5A 60V
Транзистор полевой N-канальный 60В 0.5A, 0.225Вт
Транзистор полевой N-канальный 60В 0.5A, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
MMBF170LT1G
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-23
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.03 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание MMBF170LT1G
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 500 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 5 Ом
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 500 мА |
Тип корпуса | SOT-23 |
Максимальное рассеяние мощности | 225 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 1.3мм |
Высота | 0.94мм |
Размеры | 2.9 x 1.3 x 0.94мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 2.9мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 10 нс |
Производитель | ON Semiconductor |
Типичное время задержки выключения | 10 нс |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 5 Ω |
Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 60 пФ при 10 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.05 |
Полные аналоги
-
MMBF170 MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23ONSSOT-23
-
MMBF170-7-F MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3DIODESSOT23-3
Функциональные аналоги
-
MMBF170 N-CH MOS-FET 0,5A 60VНаличие:8276 штМинимум:штЦена от:2,44 ₽SHIKUESSOT-23
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара