MMBFJ177, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Цена от:
9,14 руб.
Нет в наличии
Описание MMBFJ177
Корпус TO236
| Структура | p-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 30 |
| Ток утечки (Idss), мА | 1.5…20 |
| при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 0.8…2.5 |
| при Id, нА | 10 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 300(max) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.225 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MMBFJ177 , Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара