MMBFJ177, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

JFET P-CH 30V 225MW SOT23, 0.225W

Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт

MMBFJ175 pdf, 407,2 кБ

Код товара: 220011

Дата обновления: 02.11.2023 00:10

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка MMBFJ177 , Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

SOT23-3
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

3000 шт
Вес брутто

0.05 г.

Описание MMBFJ177

Корпус TO236

Структура	p-канал
Напряжение пробоя (V(br)gss), В	30
Ток утечки (Idss), мА	1.5…20
при Vds, В (Vgs=0)	15
Напряжение отсечки (Vgs off), В	0.8…2.5
при Id, нА	10
Сопротивление канала (RDS(On)), Ом	300(max)
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	0.225
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	sot-23
Вес, г	0.05

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← MMBFJ113 MMBFJ201 →