MMBFJ201, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
JFET N-CH 40V 350mW SOT23
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
MMBFJ201
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-23
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.04 г.
-
Напряжение Сток-Исток Макс
-
Проводимость (N/P)
-
Напряжение отсечки (при токе)
-
Мощность Макс.
Описание MMBFJ201
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 40 |
| Ток утечки (Idss), мА | 0.2…1 |
| при Vds, В (Vgs=0) | 20 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 0.3…1.5 |
| при Id, нА | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.35 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара