NJVMJD112T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NJVMJD112T4G
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара