8 800 1000 321 - контакт центр

NJVMJD122T4G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

  • NJVMJD122T4G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Документация

DataSheet
Код товара: 224076
Дата обновления: 15.08.2018 00:30
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 11 шт: 43.533 руб.
20 шт.3 дн.1 шт.11 шт.
от 2 500 шт: 21.911 руб.
2 500 шт.15 дн.2 500 шт.2 500 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Тип транзистора
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
8 А
Мощность Макс.
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Напряжение насыщения КЭ
4 В
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
2520 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке