NTD6414ANT4G, Транзистор полевой N-канальный 100В 32A
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Транзистор полевой N-канальный 100В 32A
Транзистор полевой N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NTD6414ANT4G
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт
-
Вес брутто0.73 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание NTD6414ANT4G
The NTD6414ANT4G is a N-channel Power MOSFET offers 100V drain source voltage and 32A continuous drain current.
• Lower RDS (ON)
• High current capability
• 100% Avalanche tested
• -55 to 175°C Operating junction temperature range
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 32 А |
Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
Максимальное рассеяние мощности | 100 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 6.22мм |
Высота | 2.38мм |
Размеры | 6.73 x 6.22 x 2.38мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 6.73мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 11 ns |
Производитель | ON Semiconductor |
Типичное время задержки выключения | 38 нс |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 37 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 40 nC @ 10 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 1450 pF @ 25 V |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.401 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара