Одиночные MOSFET транзисторы

55
Заряд затвора: 40нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (55)
FDS4435BZ FDS4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1845пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
441 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 11,81
FQB12P20TM FQB12P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
470 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
65 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 440,00
Акция
FQP12P20 FQP12P20 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
470 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
63 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 132,86
Акция
FQPF6N90C FQPF6N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6А 56Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
182 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 158,88
-6% Акция
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.6А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
41 шт

Внешние склады:
8 700 шт
Цена от:
от 18,16
-6% Акция
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35А 144Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 646 шт

Внешние склады:
4 237 шт
Цена от:
от 39,04
-6% Акция
STD15NF10T4 STD15NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
901 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 40,34
SUD25N15-52-E3 SUD25N15-52-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 25A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1725пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
413 шт

Внешние склады:
2 073 шт
Цена от:
от 97,80
FDP085N10A-F102 FDP085N10A-F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 96A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
96A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
188Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
2695пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 154,95
FDPF10N60ZUT FDPF10N60ZUT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1980пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 215,26
FDS86240 FDS86240 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 7.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
19.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
2570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 160,44
FQB19N20TM FQB19N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19.4A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 102,61
FQB5N90TM FQB5N90TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-2
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 100,87
FQP6N90C FQP6N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
70 шт
Цена от:
от 363,24
NVD6416ANLT4G-VF01 NVD6416ANLT4G-VF01 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 19A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
74 мОм
Мощность макс.:
71Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 60,66
RFD14N05LSM RFD14N05LSM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 650 шт
Цена от:
от 53,66
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 508 шт
Цена от:
от 42,32
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
64 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 80,62
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
7.6 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1530пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 66,44
STB20N95K5 STB20N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 17.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
17.5A
Сопротивление открытого канала:
330 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 1 027,10
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40473 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"