SI2306BDS-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.16A

Код товара: 232190

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI2306BDS-T1-E3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Показать аналоги

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

30В

Ток стока макс.

3.16A

Сопротивление открытого канала

47 мОм

Мощность макс.

750мВт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

4.5нКл

Входная емкость

305пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-23-3 (TO-236)

Вес брутто

0.036 г.

Описание SI2306BDS-T1-E3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.16A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SI2306BDS-T1-GE3 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.16A Производитель: Vishay

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI2306BDS-T1-E3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.16A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.