SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт
Цена от:
12,04 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 104+ 208+ 416+ 831+18,20 ₽ 16,11 ₽ 14,46 ₽ 13,08 ₽ 12,04 ₽Срок:В наличииНаличие:1 023Минимум:17Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 104+ 208+ 416+ 831+18,20 ₽ 16,11 ₽ 14,46 ₽ 13,08 ₽ 12,04 ₽Срок:В наличииНаличие:45Минимум:3Количество в заказ
Внешние склады
-
352+ 513+ 1019+ 5098+24,68 ₽ 21,29 ₽ 20,75 ₽ 20,22 ₽Срок:25 днейНаличие:17 040Минимум:Мин: 352Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SI2318CDS-T1-GE3
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3.04mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | Vishay |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 1.4mm |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Height | 1.02mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 51 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SI2318CDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара