SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт
Цена от:
10,98 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 98+ 195+ 390+ 779+19,56 ₽ 17,28 ₽ 15,54 ₽ 14,04 ₽ 12,96 ₽Срок:В наличииНаличие:1 467Минимум:16Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 98+ 195+ 390+ 779+19,56 ₽ 17,28 ₽ 15,54 ₽ 14,04 ₽ 12,96 ₽Срок:В наличииНаличие:55Минимум:3Количество в заказ
Внешние склады
-
483+ 955+ 3400+11,82 ₽ 11,64 ₽ 10,98 ₽Срок:7 днейНаличие:3 400Минимум:Мин: 483Количество в заказ
-
44+ 70+28,92 ₽ 28,02 ₽Срок:7 днейНаличие:70Минимум:Мин: 44Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SI2318CDS-T1-GE3
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3.04mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | Vishay |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 1.4mm |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Height | 1.02mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 51 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка SI2318CDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 329 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 12 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара