SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9A

Код товара: 232248

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI3459BDV-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
216 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Показать аналоги

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

60В

Ток стока макс.

2.9A

Сопротивление открытого канала

216 мОм

Мощность макс.

3.3Вт

Тип транзистора

P-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

12нКл

Входная емкость

350пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

6-TSOP

Описание SI3459BDV-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9A

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SI3459BDV-T1-E3 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9A Производитель: Vishay

Способы доставки в Калининград

Доставка SI3459BDV-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9A в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 329
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304
EMS
от 5 раб. дней
от 1548
Почта России
от 12 раб. дней
от 720
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.