SI4800BDY-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A

Код товара: 232346

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI4800BDY-T1-E3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
18.5 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

30В

Ток стока макс.

6.5A

Сопротивление открытого канала

18.5 мОм

Мощность макс.

1.3Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

1.8В

Заряд затвора

13нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Описание SI4800BDY-T1-E3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SI4800BDY-T1-GE3 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A Производитель: Vishay

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI4800BDY-T1-E3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 236
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.