8 800 1000 321 - контакт центр

SI4900DY-T1-E3, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А

  • SI4900DY-T1-E3 - SOIC-8

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Vishay

Описание

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А

Документация

DataSheet
Код товара: 232373
Дата обновления: 20.09.2018 01:30
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 2 500 шт: 63.208 руб.
2 500 шт.28 дн.2 500 шт.2 500 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
SOIC-8
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Вес нетто
0.2 г
Тип транзистора
2N-канальный
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Маскимальный ток стока
5.3 А
Сопротивление открытого канала
58 мОм
Пороговое напряжение включения макс.
3 В
Максимальная рассеиваемая мощность
3.1 Вт
Заряд затвора
20 нКл
Входная емкость
665 пФ
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
2500 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
SI4900DY-T1-GE3
VISHAY8-SO0.0000.000

Поделиться:
сообщение об ошибке