SI4900DY-T1-GE3, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А

Код товара: 232374

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI4900DY-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт.
Корпус:
SOIC8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
60 В
Маскимальный ток стока:
5.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт

Технические параметры

Тип транзистора

2N-канальный

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Маскимальный ток стока

5.3 А

Максимальная рассеиваемая мощность

3.1 Вт

Вес брутто

0.2 г.

Описание SI4900DY-T1-GE3

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SI4900DY-T1-E3 Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А Производитель: Vishay

Способы доставки в Калининград

Доставка SI4900DY-T1-GE3 , Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.