SI7613DN-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 35A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SI7613DN-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
52.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Цена от:
32,15 руб.
Внешние склады
-
221+ 322+ 642+ 3202+39,25 ₽ 33,85 ₽ 33,00 ₽ 32,15 ₽Срок:25 днейНаличие:6 000Минимум:Мин: 221Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SI7613DN-T1-GE3
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | SI7 |
| Минимальная рабочая температура | 50 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Высота | 1.04 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 213.345 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Qg - заряд затвора | 87 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 52.1 W |
| Канальный режим | Enhancement |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SI7613DN-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 35A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара