Одиночные MOSFET транзисторы

35
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (35)
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
492 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 222 шт
Цена от:
от 37,74
-8% Акция
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.3А 1.7Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
6.7нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
76 656 шт

Внешние склады:
185 804 шт
Цена от:
от 3,84
-8% Акция
SISA12ADN-T1-GE3 SISA12ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
813 шт

Внешние склады:
22 620 шт
Цена от:
от 19,14
STD17NF03LT4 STD17NF03LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.055 Ом, 17А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
6.5нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
817 шт

Внешние склады:
27 060 шт
Цена от:
от 21,18
FDMC86116LZ FDMC86116LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
103 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 98,88
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] ST
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
14 400 шт
Цена от:
от 112,74
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17.2A
Сопротивление открытого канала:
5.6 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
2910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 53,28
PSMN2R4-30YLDX PSMN2R4-30YLDX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
31.3нКл
Входная емкость:
2256пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 500 шт
Цена от:
от 211,56
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
52.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
87нКл
Входная емкость:
2620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 017 шт
Цена от:
от 40,26
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
969 шт
Цена от:
от 23,70
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
11700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 849 шт
Цена от:
от 47,40
SIRA04DP-T1-GE3 SIRA04DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
2.15 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 267 шт
Цена от:
от 23,10
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 176 шт
Цена от:
от 20,64
STD18NF03L STD18NF03L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17A DPAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
6.5нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 91,92
BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SON8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-8% Акция
CSD16406Q3 CSD16406Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
8.1нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86102LZ FDMC86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT86106LZ FDT86106LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
108 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
315пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD50P04P4L11ATMA1 IPD50P04P4L11ATMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3-313
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
10.6 мОм
Мощность макс.:
58Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTMFS4927NT1G NTMFS4927NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.9A
Сопротивление открытого канала:
7.3 мОм
Мощность макс.:
920мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
913пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"