SI7850DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A

Код товара: 232504

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI7850DP-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

60В

Ток стока макс.

6.2A

Сопротивление открытого канала

22 мОм

Мощность макс.

1.8Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

27нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

PowerPAKВ® SO-8

Вес брутто

0.131 г.

Описание SI7850DP-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SI7850DP-T1-E3 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A Производитель: Vishay

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI7850DP-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.