SI7898DP-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3A

Код товара: 232507

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI7898DP-T1-E3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

150В

Ток стока макс.

3A

Сопротивление открытого канала

85 мОм

Мощность макс.

1.9Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

21нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

PowerPAKВ® SO-8

Описание SI7898DP-T1-E3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Аналоги и возможные замены

SI7898DP-T1-GE3 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3A Производитель: Vishay
Наличие:
0 шт

Под заказ:
4 020 шт
Цена от:
от 68,82

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI7898DP-T1-E3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.