SI8812DB-T2-E1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В

Код товара: 232537

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI8812DB-T2-E1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
Microfoot4
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Сопротивление открытого канала:
59 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

20В

Сопротивление открытого канала

59 мОм

Мощность макс.

500мВт

Тип транзистора

N-канальный

Особенности

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

17нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Описание SI8812DB-T2-E1

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI8812DB-T2-E1 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 136
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.