SIA416DJ-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.3A

Код товара: 232558

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIA416DJ-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
11.3A
Сопротивление открытого канала:
83 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

100В

Ток стока макс.

11.3A

Сопротивление открытого канала

83 мОм

Мощность макс.

19Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

10нКл

Входная емкость

295пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Вес брутто

0.09 г.

Описание SIA416DJ-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.3A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SIA416DJ-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.3A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 136
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.