SIHB12N65E-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SIHB12N65E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
DBІPAK (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
156Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
217,91 руб.
Внешние склады
-
34+ 49+ 97+ 483+266,12 ₽ 229,48 ₽ 223,70 ₽ 217,91 ₽Срок:25 днейНаличие:500Минимум:Мин: 34Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SIHB12N65E-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIHB12N65E-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 166 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара