Одиночные MOSFET транзисторы

35
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (35)
-8% Акция
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 34Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
199 шт

Внешние склады:
60 шт
Цена от:
от 149,82
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Транзистор полевой 600В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
239 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 155,16
-8% Акция
STB13N60M2 STB13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263) type A
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
580пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
352 шт

Внешние склады:
1 365 шт
Цена от:
от 77,58
STB14NK50ZT4 STB14NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
218 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 151,68
-8% Акция
STP14NK50Z STP14NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 150Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
152 шт

Внешние склады:
313 шт
Цена от:
от 80,34
STP14NK50ZFP STP14NK50ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 35Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
252 шт

Внешние склады:
12 010 шт
Цена от:
от 87,96
-8% Акция
STW14NK50Z STW14NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 150Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
217 шт

Внешние склады:
493 шт
Цена от:
от 155,76
Акция
FCD380N60E FCD380N60E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 106Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 80,52
Акция
FCP11N60 FCP11N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.38 Ом, 125Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 234,12
FCPF11N60 FCPF11N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A TO220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 298,80
FDB15N50 FDB15N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 211,86
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
73Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Super Junction
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
24.8нКл
Входная емкость:
584пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 86,40
SIHG16N50C-E3 SIHG16N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
11 шт
Цена от:
от 116,04
STD13N60M2 STD13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
580пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 39,30
STF13NM60ND STF13NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24.5нКл
Входная емкость:
845пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 339,90
STF15NM65N STF15NM65N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33.3нКл
Входная емкость:
983пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
692 шт
Цена от:
от 157,56
STP13N60M2 STP13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
580пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 235,80
STP13NM60ND STP13NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
109Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24.5нКл
Входная емкость:
845пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 298,14
Акция
FCP11N60F FCP11N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDA16N50_F109 FDA16N50_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16.5A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1945пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"