Одиночные MOSFET транзисторы

₃₅

Сопротивление открытого канала: 380 мОм

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (35)

Новинка

IPP50R380CEXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

9.9A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

73Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Super Junction

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

24.8нКл

Входная емкость:

584пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

500 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 81,30₽

-5% Акция

STB13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 110Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263) type A

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

580пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

259 шт

Внешние склады:

295 шт

Цена от:

от 68,03₽

STP14NK50ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 35Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

242 шт

Внешние склады:

30 шт

Цена от:

от 144,51₽

-5% Акция

SPA11N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 34Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

33Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

192 шт

Внешние склады:

30 шт

Цена от:

от 176,44₽

SPP11N60C3XKSA1 Транзистор полевой 600В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

183 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 170,32₽

Акция

STP14NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 150Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

146 шт

Внешние склады:

241 шт

Цена от:

от 61,04₽

-5% Акция

STW14NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 150Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

62 шт

Внешние склады:

310 шт

Цена от:

от 167,21₽

STB14NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

22 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 199,98₽

-5% Акция

FCD380N60E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 106Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

106Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FCP11N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.38 Ом, 125Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

1490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FCP11N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

1490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF11N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A TO220F

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

1490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA16N50_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

16.5A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

205Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1945пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB15N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDPF16N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

38.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1945пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA19N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

18.5A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

3600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPD50R380CEATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

9.9A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

73Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Super Junction

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

24.8нКл

Входная емкость:

584пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR9N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.4А 86Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.4A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

86Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

560пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 282 шт

Цена от:

от 55,36₽

PMV450ENEAR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.8A автомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

800мА

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

323мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

3.6нКл

Входная емкость:

101пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMZB290UNE,315 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1A 3-Pin DFN-B лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

3-DFN1006B (0.6x1)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

360мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

0.68нКл

Входная емкость:

83пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7164 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"