SIHB12N65E-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 12 А

Код товара: 232604

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHB12N65E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
50 шт.
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
156Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

650В

Ток стока макс.

12A

Сопротивление открытого канала

380 мОм

Мощность макс.

156Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

70нКл

Входная емкость

1224пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2PAK/TO263

Описание SIHB12N65E-GE3

Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 12 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SIHB12N65E-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 12 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.